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碳化硅襯底尺寸格局根據(jù)電學性能差異區(qū)分，碳化硅襯底分為導電型襯底和半絕緣型襯底。
小米YU7大賣，帶動國產(chǎn)碳化硅供應(yīng)鏈升級隨著小米旗下車型的大批量交付，將助力國產(chǎn)碳化硅供應(yīng)鏈進一步完善升級。
碳化硅將迎來快速增長SiC襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、SiC應(yīng)用的基石。
晶圓劃切過程中怎么測高？目前測量刀片磨損有兩種方式：接觸測高和非接觸測高。
劃片機參數(shù)設(shè)置，劃片刀刀高設(shè)置通過不斷的修改切割參數(shù)及工藝設(shè)定，與劃片刀達到一個穩(wěn)定的平衡，可以有效解決崩邊問題的發(fā)生。
減薄對后續(xù)晶圓劃切的影響隨著工藝創(chuàng)新，“先劃片后減薄”（DBG）與“減薄劃片”（DBT）技術(shù)應(yīng)運而生。
法拉第材料特性及切割要點法拉第旋轉(zhuǎn)片最核心的材料，有包括釔鐵石榴石(YIG)、鋱鎵石榴石(TGG)、鋱鋁石榴石(TAG)、稀土鐵石榴石(RIG)等在內(nèi)的晶體材料。
晶圓劃切崩邊產(chǎn)生的成因及預防措施劃片刀磨粒平均顆粒尺寸、主軸轉(zhuǎn)速、工件進給速度和切削深度等條件都是影響脆性材料切割品質(zhì)的重要因素。
熱烈祝賀西斯特科技榮膺市場表現(xiàn)獎！在剛剛落幕的深圳市集成電路產(chǎn)業(yè)總結(jié)大會暨深圳市半導體行業(yè)協(xié)會第八屆第二次會員大會上，深圳西斯特科技有限公司憑借卓越的市場表現(xiàn)與創(chuàng)新力，榮獲市場表現(xiàn)獎！這一榮譽不僅是對公司深耕行業(yè)、勇攀高...
晶圓劃片刀的切割工藝新一代的劃切系統(tǒng)能夠自動監(jiān)測施加在刀片上的負載或扭矩